规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 15V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1902TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS1902PBFCT-ND
别名:*IRLMS1902TRPBF
IRLMS1902PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 15V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
型号:
QH8MA3TCR
仓库库存编号:
QH8MA3TCRCT-ND
别名:QH8MA3TCRCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 62V 3.3A 2.27W Surface Mount 8-SO
型号:
FDSS2407
仓库库存编号:
FDSS2407CT-ND
别名:FDSS2407CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.3A, 3.4A 1W Surface Mount 8-SO
型号:
NDS8852H
仓库库存编号:
NDS8852HTR-ND
别名:NDS8852HTR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 15V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NTLJD4150PTBG
仓库库存编号:
NTLJD4150PTBG-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号:
SI5906DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5906DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5906DU-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7106
仓库库存编号:
IRF7106-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1902TR
仓库库存编号:
IRLMS1902CT-ND
别名:*IRLMS1902TR
IRLMS1902
IRLMS1902CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 15V,
含铅
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