规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1260pF @ 15V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),58A(Tc) 55W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8880
仓库库存编号:
FDD8880CT-ND
别名:FDD8880CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1260pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.6A(Ta),55A(Tc) 55W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8882
仓库库存编号:
FDD8882CT-ND
别名:FDD8882CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1260pF @ 15V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87334Q3DT
仓库库存编号:
296-42468-1-ND
别名:296-42468-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1260pF @ 15V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ920DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ920DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ920DT-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1260pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 12.6A(Ta),55A(Tc) 55W(Tc) TO-251
型号:
FDU8882
仓库库存编号:
FDU8882-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1260pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 13A(Ta),58A(Tc) 55W(Tc) TO-251
型号:
FDU8880
仓库库存编号:
FDU8880-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1260pF @ 15V,
无铅
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