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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRL6372TRPBF
  仓库库存编号：IRL6372TRPBFCT-ND
  别名：IRL6372TRPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N100D2
  仓库库存编号：IXTP3N100D2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 25V,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N100D2
  仓库库存编号：IXTA3N100D2-ND
  别名：623496
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 25V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 59W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y40-55B,115
  仓库库存编号：1727-4943-1-ND
  别名：1727-4943-1
  568-6237-1
  568-6237-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 25V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：SQ4949EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4949EY-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP6NC60
  仓库库存编号：STP6NC60-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 25V,
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