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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC034N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC034N03LSGATMA1TR-ND
别名:BSC034N03LS G
BSC034N03LS G-ND
SP000475948
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),93A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC042N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC042N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03MSGINCT
BSC042N03MSGINCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO051N03MS G
仓库库存编号:
BSO051N03MS GINCT-ND
别名:BSO051N03MS GINCT
BSO051N03MSG
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LSI
仓库库存编号:
BSC011N03LSICT-ND
别名:BSC011N03LSICT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),105A(Tc) 1.9W(Ta),176W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB210L
仓库库存编号:
785-1323-1-ND
别名:785-1323-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),70A(Tc) 2.7W(Ta),150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD210
仓库库存编号:
AOD210-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Ta),105A(Tc) 1.9W(Ta),176W(Tc) TO-220
型号:
AOT210L
仓库库存编号:
AOT210L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),70A(Tc) 2.7W(Ta),150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD210_001
仓库库存编号:
AOD210_001-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8.6A(Tc) 1.5W(Tc) 8-TSSOP
型号:
IRF7700
仓库库存编号:
IRF7700-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8.6A(Tc) 1.5W(Tc) 8-TSSOP
型号:
IRF7700TR
仓库库存编号:
IRF7700TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8.6A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7700GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7700GTRPBFCT-ND
别名:IRF7700GTRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8.6A(Tc) 1.5W(Tc) 8-TSSOP
型号:
IRF7700TRPBF
仓库库存编号:
IRF7700TRPBFCT-ND
别名:IRF7700TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 22A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC882N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC882N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC882N03MS GCT
BSC882N03MS GCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V,
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