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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR9N20DTRPBFCT-ND
别名:IRFR9N20DTRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRFTS8342TRPBF
仓库库存编号:
IRFTS8342TRPBFCT-ND
别名:IRFTS8342TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5485NLT3G
仓库库存编号:
NVMFD5485NLT3G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5485NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFD5485NLWFT3G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5485NLT1G
仓库库存编号:
NVMFD5485NLT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5485NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFD5485NLWFT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.6W(Ta),20W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8342TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8342TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8342TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S2L50ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S2L50ATMA1TR-ND
别名:IPG20N06S2L-50
IPG20N06S2L-50-ND
SP000613728
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S2L50AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S2L50AATMA1-ND
别名:SP001023842
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9N20D
仓库库存编号:
IRFU9N20D-ND
别名:*IRFU9N20D
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTR
仓库库存编号:
IRFR9N20DTR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTRL
仓库库存编号:
IRFR9N20DTRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTRR
仓库库存编号:
IRFR9N20DTRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113ANKSA1
仓库库存编号:
BTS113ANKSA1-ND
别名:BTS113A
BTS113A-ND
SP000011187
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS113AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS113A E3045A
BTS113A E3045A-ND
BTS113AE3045AT
SP000011188
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113AE3064NKSA1
仓库库存编号:
BTS113AE3064NKSA1-ND
别名:BTS113A E3064
BTS113A E3064-ND
BTS113AE3064
SP000011189
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V,
含铅
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