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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 1.6W（Ta），44W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3R203NL,L1Q
  仓库库存编号：TPH3R203NLL1QCT-ND
  别名：TPH3R203NL,L1QCT
  TPH3R203NL,L1QCT-ND
  TPH3R203NLL1QCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN2R703NL,L1Q
  仓库库存编号：TPN2R703NLL1QCT-ND
  别名：TPN2R703NL,L1QCT
  TPN2R703NL,L1QCT-ND
  TPN2R703NLL1QCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03MSGINCT
  BSC080N03MSGINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 2.9W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL23NS3LLH7
  仓库库存编号：497-16040-1-ND
  别名：497-16040-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），65A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC886N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC886N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC886N03LS GCT
  BSC886N03LS GCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ088N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ088N03MSGINCT
  BSZ088N03MSGINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO083N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO083N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO083N03MS GINCT
  BSO083N03MS GINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 1.63W（Ta），22.73W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4985NFT3G
  仓库库存编号：NTMFS4985NFT3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.5A（Ta），65A（Tc） 1.63W（Ta），22.73W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4985NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4985NFT1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4965NFT3G
  仓库库存编号：NTMFS4965NFT3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4965NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4965NFT1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7466
  仓库库存编号：IRF7466-ND
  别名：*IRF7466
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7466TR
  仓库库存编号：IRF7466TR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7466TRPBF
  仓库库存编号：IRF7466PBFCT-ND
  别名：*IRF7466TRPBF
  IRF7466PBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 15V,
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