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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FCD4N60TM
仓库库存编号:
FCD4N60TMCT-ND
别名:FCD4N60TMCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD7NS20T4
仓库库存编号:
497-6566-1-ND
别名:497-6566-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP4N60
仓库库存编号:
FCP4N60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 94W(Tc) TO-263
型号:
R6009KNJTL
仓库库存编号:
R6009KNJTLCT-ND
别名:R6009KNJTLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 48W(Tc) TO-220FM
型号:
R6009KNX
仓库库存编号:
R6009KNX-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRL80HS120
仓库库存编号:
IRL80HS120CT-ND
别名:IRL80HS120CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Tj) 2.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DN2470K4-G
仓库库存编号:
DN2470K4-GCT-ND
别名:DN2470K4-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5877NLT1G
仓库库存编号:
NVMFD5877NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFD5877NLT1GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 2.4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF3N90
仓库库存编号:
AOTF3N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5877NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFD5877NLWFT3G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5875NLT3G
仓库库存编号:
NVMFD5875NLT3G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5875NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFD5875NLWFT3G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5877NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFD5877NLWFT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5875NLT1G
仓库库存编号:
NVMFD5875NLT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5875NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFD5875NLWFT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK5P53D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK5P53D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK5P53DT6RSSQ
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK5A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK5A53D(STA4QM)-ND
别名:TK5A53D(STA4QM)
TK5A53DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A50D(STA4QM)-ND
别名:TK6A50D(STA4QM)
TK6A50DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK5A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK5A55D(STA4QM)-ND
别名:TK5A55D(STA4QM)
TK5A55DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A45DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK7A45DA(STA4QM)-ND
别名:TK7A45DA(STA4QM)
TK7A45DASTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK3A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK3A65D(STA4QM)-ND
别名:TK3A65D(STA4QM)
TK3A65DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.9A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FCD4N60TF
仓库库存编号:
FCD4N60TFCT-ND
别名:FCD4N60TFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.9A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FCD4N60TM_WS
仓库库存编号:
FCD4N60TM_WSCT-ND
别名:FCD4N60TM_WSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) TO-251-3
型号:
SFU9220TU_AM002
仓库库存编号:
SFU9220TU_AM002-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) TO-251-3
型号:
SFU9220TU_F080
仓库库存编号:
SFU9220TU_F080-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V,
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