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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3708TRPBFCT-ND
别名:IRFR3708TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3708PBF
仓库库存编号:
IRF3708PBF-ND
别名:*IRF3708PBF
SP001553964
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3708
仓库库存编号:
IRF3708-ND
别名:*IRF3708
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708S
仓库库存编号:
IRF3708S-ND
别名:*IRF3708S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRL
仓库库存编号:
IRF3708STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRR
仓库库存编号:
IRF3708STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3708
仓库库存编号:
IRFU3708-ND
别名:*IRFU3708
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3708L
仓库库存编号:
IRF3708L-ND
别名:*IRF3708L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708
仓库库存编号:
IRFR3708-ND
别名:*IRFR3708
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TR
仓库库存编号:
IRFR3708TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRL
仓库库存编号:
IRFR3708TRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRR
仓库库存编号:
IRFR3708TRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708SPBF
仓库库存编号:
IRF3708SPBF-ND
别名:*IRF3708SPBF
SP001553954
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3708PBF
仓库库存编号:
IRFU3708PBF-ND
别名:*IRFU3708PBF
SP001573620
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
无铅
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MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3708STRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2417pF @ 15V,
无铅
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MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3708STRLPBF-ND
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