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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N03S4L-02
  仓库库存编号：IPD90N03S4L-02CT-ND
  别名：IPD90N03S4L-02CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9750pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N03S4L-03
  仓库库存编号：IPP80N03S4L-03-ND
  别名：IPP80N03S4L03
  IPP80N03S4L03AKSA1
  SP000275328
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9750pF @ 25V,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10021JLL
  仓库库存编号：APT10021JLL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9750pF @ 25V,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10021JFLL
  仓库库存编号：APT10021JFLL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9750pF @ 25V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N03S4L02ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N03S4L02ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N03S4L-02
  IPB80N03S4L-02-ND
  IPB80N03S4L-02INTR
  IPB80N03S4L-02INTR-ND
  SP000273282
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9750pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N03S4L03AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N03S4L03AKSA1-ND
  别名：IPI80N03S4L-03
  IPI80N03S4L-03-ND
  SP000273285
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9750pF @ 25V,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 82A（Tc） 1.8W（Ta），143W（Tc） TO-262
  
  型号：NP82N04NUG-S18-AY
  仓库库存编号：NP82N04NUG-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9750pF @ 25V,
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