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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB083N10N3 G
  仓库库存编号：IPB083N10N3 GCT-ND
  别名：IPB083N10N3 GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3980pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD082N10N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3980pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 37.5W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA086N10N3 G
  仓库库存编号：IPA086N10N3 G-ND
  别名：IPA086N10N3G
  IPA086N10N3GXKSA1
  SP000485984
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3980pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP086N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP086N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP086N10N3 G
  IPP086N10N3 G-ND
  IPP086N10N3G
  SP000680840
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3980pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI086N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI086N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPI086N10N3 G
  IPI086N10N3 G-ND
  IPI086N10N3G
  SP000485982
  SP000683070
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3980pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD082N10N3 G
  IPD082N10N3 G-ND
  SP000485986
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3980pF @ 50V,
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