规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(3)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(10)
TO-220-3(9)
TO-220-3 整包(3)
TO-247-3(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(1)
TO-3P-3，SC-65-3(1)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(1)
ISOTOP(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(2)
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STMicroelectronics(1)
Fairchild/ON Semiconductor(12)
Nexperia USA Inc.(1)
IXYS(2)
Infineon Technologies(15)
NXP USA Inc.(1)
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表面贴装(14)
通孔(17)
底座安装(1)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(9)
-55°C ~ 175°C（TJ）(22)
150°C（TJ）(1)
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-(1)
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汽车级，AEC-Q101，PowerTrench?(1)
SuperFET? II(3)
OptiMOS??(4)
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D-Pak(1)
D2PAK(7)
TO-220-3(3)
TO-220AB(5)
TO-252AA(2)
D2PAK（TO-263AB）(1)
TO-220F(2)
TO-3PN(1)
ISOTOP?(1)
TO-251AA(1)
PG-TO263-3-2(2)
TO-262(2)
PG-TO220-3-1(2)
TO-247（IXFH）(1)
TO-268（IXFT）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(32)
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±30V(5)
±20V(27)
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45nC @ 10V(3)
54nC @ 10V(2)
40nC @ 10V(4)
34nC @ 10V(5)
60nC @ 10V(4)
63nC @ 10V(11)
32nC @ 10V(2)
660nC @ 10V(1)
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380 毫欧 @ 5A，10V(3)
26.5 毫欧 @ 22A，10V(11)
1.9 欧姆 @ 3A，10V(2)
54 毫欧 @ 9A，10V(5)
300 毫欧 @ 13A，10V(1)
2.3 欧姆 @ 3A，10V(4)
12 毫欧 @ 38A，10V(2)
42 毫欧 @ 20A，10V(2)
11.7 毫欧 @ 38A，10V(2)
重新选择
10V(27)
6V，10V(5)
重新选择
N 沟道(32)
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6A（Tc）(6)
26A（Tc）(1)
36A（Tc）(11)
77A（Tc）(4)
10.2A（Tc）(3)
4A（Ta），29A（Tc）(5)
45.1A（Tc）(2)
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1770pF @ 25V(32)
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-(32)
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4V @ 250μA(16)
5V @ 250μA(4)
4V @ 1mA(2)
3.5V @ 250μA(3)
4V @ 93μA(4)
5.5V @ 2.5mA(2)
3.75V @ 1mA(1)
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450W（Tc）(1)
56W（Tc）(2)
106W（Tc）(2)
167W（Tc）(1)
158W（Tc）(4)
135W（Tc）(5)
230W（Tc）(2)
180W（Tc）(2)
92W（Tc）(11)
31W（Tc）(1)
198W（Tc）(1)
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150V(7)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
IRF540ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF540ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF540ZSTRLPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-262
型号：
IRF540ZLPBF
仓库库存编号：
IRF540ZLPBF-ND
别名：*IRF540ZLPBF
SP001559652
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268（IXFT）
型号：
IXFT6N100F
仓库库存编号：
IXFT6N100F-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 31W（Tc） TO-220-3
型号：
FCPF380N60E
仓库库存编号：
FCPF380N60E-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 106W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP380N60E
仓库库存编号：
FCP380N60E-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 29A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD2572
仓库库存编号：
FDD2572CT-ND
别名：FDD2572CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Tc） 106W（Tc） D-Pak
型号：
FCD380N60E
仓库库存编号：
FCD380N60ECT-ND
别名：FCD380N60ECT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP6N90C
仓库库存编号：
FQP6N90C-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6N90C
仓库库存编号：
FQPF6N90C-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP2572
仓库库存编号：
FDP2572FS-ND
别名：FDP2572-ND
FDP2572FS
Q1965920
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF540Z
仓库库存编号：
AUIRF540Z-ND
别名：SP001516500
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA6N90C_F109
仓库库存编号：
FQA6N90C_F109-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH6N100F
仓库库存编号：
IXFH6N100F-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP77N06S212AKSA2
仓库库存编号：
IPP77N06S212AKSA2-ND
别名：SP001061292
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD2572_F085
仓库库存编号：
FDD2572_F085CT-ND
别名：FDD2572_F085CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2572
仓库库存编号：
FDB2572CT-ND
别名：FDB2572CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 45.1A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
PHB45NQ15T,118
仓库库存编号：
1727-3057-1-ND
别名：1727-3057-1
568-2192-1
568-2192-1-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540ZPBF
仓库库存编号：
IRF540ZPBF-ND
别名：*IRF540ZPBF
SP001561896
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB77N06S212ATMA2
仓库库存编号：
IPB77N06S212ATMA2-ND
别名：SP001061294
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF540ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF540ZSTRL-ND
别名：SP001516510
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 26A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE26NA90
仓库库存编号：
497-3168-5-ND
别名：497-3168-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 150V 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-251AA
型号：
FDU2572
仓库库存编号：
FDU2572-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6N90CT
仓库库存编号：
FQPF6N90CT-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
IRF540ZS
仓库库存编号：
IRF540ZS-ND
别名：*IRF540ZS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-262
型号：
IRF540ZL
仓库库存编号：
IRF540ZL-ND
别名：*IRF540ZL
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
含铅
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