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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF540ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF540ZSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF540ZLPBF
  仓库库存编号：IRF540ZLPBF-ND
  别名：*IRF540ZLPBF
  SP001559652
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT6N100F
  仓库库存编号：IXFT6N100F-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 31W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCPF380N60E
  仓库库存编号：FCPF380N60E-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 106W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP380N60E
  仓库库存编号：FCP380N60E-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 29A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD2572
  仓库库存编号：FDD2572CT-ND
  别名：FDD2572CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Tc） 106W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD380N60E
  仓库库存编号：FCD380N60ECT-ND
  别名：FCD380N60ECT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP6N90C
  仓库库存编号：FQP6N90C-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N90C
  仓库库存编号：FQPF6N90C-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2572
  仓库库存编号：FDP2572FS-ND
  别名：FDP2572-ND
  FDP2572FS
  Q1965920
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF540Z
  仓库库存编号：AUIRF540Z-ND
  别名：SP001516500
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA6N90C_F109
  仓库库存编号：FQA6N90C_F109-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH6N100F
  仓库库存编号：IXFH6N100F-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP77N06S212AKSA2
  仓库库存编号：IPP77N06S212AKSA2-ND
  别名：SP001061292
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD2572_F085
  仓库库存编号：FDD2572_F085CT-ND
  别名：FDD2572_F085CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2572
  仓库库存编号：FDB2572CT-ND
  别名：FDB2572CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45.1A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB45NQ15T,118
  仓库库存编号：1727-3057-1-ND
  别名：1727-3057-1
  568-2192-1
  568-2192-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540ZPBF
  仓库库存编号：IRF540ZPBF-ND
  别名：*IRF540ZPBF
  SP001561896
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB77N06S212ATMA2
  仓库库存编号：IPB77N06S212ATMA2-ND
  别名：SP001061294
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF540ZSTRL
  仓库库存编号：AUIRF540ZSTRL-ND
  别名：SP001516510
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 26A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE26NA90
  仓库库存编号：497-3168-5-ND
  别名：497-3168-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-251AA
  
  型号：FDU2572
  仓库库存编号：FDU2572-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N90CT
  仓库库存编号：FQPF6N90CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZS
  仓库库存编号：IRF540ZS-ND
  别名：*IRF540ZS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF540ZL
  仓库库存编号：IRF540ZL-ND
  别名：*IRF540ZL
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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