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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZSTRL
  仓库库存编号：IRF540ZSTRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZSTRR
  仓库库存编号：IRF540ZSTRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540Z
  仓库库存编号：IRF540Z-ND
  别名：*IRF540Z
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 45.1A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 45.1A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP45NQ15T,127
  仓库库存编号：PHP45NQ15T,127-ND
  别名：934058106127
  PHP45NQ15T
  PHP45NQ15T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB77N06S212ATMA1
  仓库库存编号：IPB77N06S212ATMA1TR-ND
  别名：IPB77N06S2-12
  IPB77N06S2-12-ND
  SP000218173
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP77N06S212AKSA1
  仓库库存编号：IPP77N06S212AKSA1-ND
  别名：IPP77N06S2-12
  IPP77N06S2-12-ND
  SP000218172
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF540ZS
  仓库库存编号：AUIRF540ZS-ND
  别名：SP001515788
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V,
• 无铅
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