规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(30)
分立半导体产品
(30)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (5)
Infineon Technologies (15)
Nexperia USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
Rohm Semiconductor (4)
STMicroelectronics (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 94W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103PBF
仓库库存编号:
IRL3103PBF-ND
别名:*IRL3103PBF
SP001571808
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 79A(Tc) 94.3W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y7R6-40EX
仓库库存编号:
1727-1117-1-ND
别名:1727-1117-1
568-10272-1
568-10272-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 80W(Tc) DPAK
型号:
STD40NF3LLT4
仓库库存编号:
497-12558-1-ND
别名:497-12558-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名:IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 245W(Tc) TO-220
型号:
AOT8N80L
仓库库存编号:
785-1434-5-ND
别名:785-1434-5
AOT8N80
AOT8N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6024ENX
仓库库存编号:
R6024ENX-ND
别名:R6024ENXCT
R6024ENXCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 120W(Tc) TO-247
型号:
R6024ENZ1C9
仓库库存编号:
R6024ENZ1C9-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6024ENZC8
仓库库存编号:
R6024ENZC8-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB18NF30
仓库库存编号:
497-12970-1-ND
别名:497-12970-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6024ENJTL
仓库库存编号:
R6024ENJTLCT-ND
别名:R6024ENJTLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
STB70NF3LLT4
仓库库存编号:
STB70NF3LLT4-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.4A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8N80
仓库库存编号:
785-1441-5-ND
别名:785-1441-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 245W(Tc) TO-247
型号:
AOK8N80L
仓库库存编号:
785-1450-5-ND
别名:785-1450-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 245W(Tc) TO-247
型号:
AOK8N80
仓库库存编号:
AOK8N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3103STRLPBF-ND
别名:SP001552534
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 25A 8-PWRSOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Tc) 70W(Tc) 8-SOIC
型号:
STSJ25NF3LL
仓库库存编号:
STSJ25NF3LL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5682
仓库库存编号:
FDS5682CT-ND
别名:FDS5682CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.4A(Tc) 245W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT8N80L_001
仓库库存编号:
AOT8N80L_001-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103S
仓库库存编号:
IRL3103S-ND
别名:*IRL3103S
SP001550308
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) TO-262
型号:
IRL3103L
仓库库存编号:
IRL3103L-ND
别名:*IRL3103L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRL
仓库库存编号:
IRL3103STRL-ND
别名:SP001573698
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503
仓库库存编号:
IRLR8503-ND
别名:*IRLR8503
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRR
仓库库存编号:
IRL3103STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TRL
仓库库存编号:
IRLR8503TRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TR
仓库库存编号:
IRLR8503TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V,
含铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号