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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3K123TU,LF
  仓库库存编号：SSM3K123TULFCT-ND
  别名：SSM3K123TU(T5LT)CT
  SSM3K123TU(T5LT)CT-ND
  SSM3K123TU(TE85L)CT
  SSM3K123TU(TE85L)CT-ND
  SSM3K123TULFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1010pF @ 10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7980DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7980DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7980DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1010pF @ 10V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） 9-DSBGA
  
  型号：CSD25202W15T
  仓库库存编号：296-37964-1-ND
  别名：296-37964-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1010pF @ 10V,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 1.7W（Ta） 9-BGA（1.5x1.6）
  
  型号：FDZ291P
  仓库库存编号：FDZ291PCT-ND
  别名：FDZ291PCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1010pF @ 10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7980DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7980DP-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1010pF @ 10V,
• 无铅
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