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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3710PBF
  仓库库存编号：IRF3710PBF-ND
  别名：*IRF3710PBF
  SP001551058
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3130pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3710LPBF
  仓库库存编号：IRF3710LPBF-ND
  别名：*IRF3710LPBF
  SP001551048
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3130pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3710STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3710STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3710STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3130pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 90A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD9409_F085
  仓库库存编号：FDD9409_F085CT-ND
  别名：FDD9409_F085CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3130pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 57A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3710STRR
  仓库库存编号：IRF3710STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3130pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 57A（Tc） 200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3710L
  仓库库存编号：IRF3710L-ND
  别名：*IRF3710L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3130pF @ 25V,
• 含铅
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