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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP530N15N3 G
  仓库库存编号：IPP530N15N3 G-ND
  别名：IPP530N15N3G
  IPP530N15N3GXKSA1
  SP000521722
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 887pF @ 75V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD530N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD530N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD530N15N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 887pF @ 75V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB530N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB530N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB530N15N3 GCT
  IPB530N15N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 887pF @ 75V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI530N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI530N15N3GXKSA1-ND
  别名：IPI530N15N3 G
  IPI530N15N3 G-ND
  SP000807642
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 887pF @ 75V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD530N15N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD530N15N3 GCT
  IPD530N15N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 887pF @ 75V,
• 无铅
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