以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF2807PBF
  仓库库存编号：IRF2807PBF-ND
  别名：*IRF2807PBF
  SP001550978
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF2807STRLPBF
  仓库库存编号：IRF2807STRLPBFCT-ND
  别名：IRF2807STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK725R0-40C,118
  仓库库存编号：1727-4699-1-ND
  别名：1727-4699-1
  568-5847-1
  568-5847-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 26A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP26P10T
  仓库库存编号：IXTP26P10T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY26P10T
  仓库库存编号：IXTY26P10T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA26P10T
  仓库库存编号：IXTA26P10T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N60P
  仓库库存编号：IXFR30N60P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF2807
  仓库库存编号：AUIRF2807-ND
  别名：SP001522572
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC30N60P
  仓库库存编号：IXFC30N60P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP60N10-16L-E3
  仓库库存编号：SUP60N10-16L-E3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF2807S
  仓库库存编号：IRF2807S-ND
  别名：*IRF2807S
  SP001550968
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 82A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 82A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF2807L
  仓库库存编号：IRF2807L-ND
  别名：*IRF2807L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF2807STRL
  仓库库存编号：IRF2807STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索