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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 116A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL2203NPBF
  仓库库存编号：IRL2203NPBF-ND
  别名：*IRL2203NPBF
  SP001573688
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2203NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRL2203NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRL2203NSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF11N90C
  仓库库存编号：FQAF11N90CFS-ND
  别名：FQAF11N90C-ND
  FQAF11N90CFS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 90A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA90N075T2
  仓库库存编号：IXTA90N075T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA11N90C_F109
  仓库库存编号：FQA11N90C_F109-ND
  别名：FQA11N90CF109
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRL2203N
  仓库库存编号：AUIRL2203N-ND
  别名：SP001521374
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 69W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF18N50V2
  仓库库存编号：FQPF18N50V2-ND
  别名：Q2658628
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA11N90C
  仓库库存编号：FQA11N90C-ND
  别名：Q2658628A
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP18N50V2
  仓库库存编号：FQP18N50V2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 277W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA18N50V2
  仓库库存编号：FQA18N50V2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA11N90C
  仓库库存编号：FQA11N90CFS-ND
  别名：FQA11N90CFS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 277W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH18N50V2
  仓库库存编号：FQH18N50V2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 90A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP90N075T2
  仓库库存编号：IXTP90N075T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 116A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：94-2304
  仓库库存编号：94-2304-ND
  别名：*IRL2203N
  IRL2203N
  IRL2203N-ND
  SP001521934
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
  
  型号：94-2113
  仓库库存编号：94-2113-ND
  别名：*IRL2203NS
  IRL2203NS
  IRL2203NS-ND
  SP001517146
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL2203NL
  仓库库存编号：IRL2203NL-ND
  别名：*IRL2203NL
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2203NSTRR
  仓库库存编号：IRL2203NSTRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL2203NLPBF
  仓库库存编号：IRL2203NLPBF-ND
  别名：*IRL2203NLPBF
  SP001558636
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3290pF @ 25V,
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