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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 135W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP65N06
仓库库存编号:
FDP65N06-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2170pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
IRF60R217
仓库库存编号:
IRF60R217CT-ND
别名:IRF60R217CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2170pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 84A(Tc) 4.2W(Ta),63W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
AUIRFN8401TR
仓库库存编号:
AUIRFN8401TR-ND
别名:SP001522256
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2170pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Ta),68A(Tc) 2.5W(Ta),63W(Tc) DIRECTFET? M4
型号:
AUIRF7648M2TR
仓库库存编号:
AUIRF7648M2TR-ND
别名:SP001521562
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2170pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2-07
仓库库存编号:
SPD50N03S2-07-ND
别名:SP000016253
SP000077579
SPD50N03S207XT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2170pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 125W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2-08
仓库库存编号:
SPU30N03S2-08-ND
别名:SP000014129
SPU30N03S208X
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2170pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S207GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2-07 GCT
SPD50N03S2-07 GCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2170pF @ 25V,
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