以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709SPBF
  仓库库存编号：IRF3709SPBF-ND
  别名：*IRF3709SPBF
  SP001571378
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3709PBF
  仓库库存编号：IRF3709PBF-ND
  别名：*IRF3709PBF
  SP001570060
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VTRPBF
  仓库库存编号：IRLR8103VPBFTR-ND
  别名：IRLR8103VPBFTR
  SP001558514
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3709STRLPBF-ND
  别名：SP001559576
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VPBF
  仓库库存编号：IRLR8103VPBF-ND
  别名：SP001567340
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 120W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3709
  仓库库存编号：IRFU3709-ND
  别名：*IRFU3709
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709S
  仓库库存编号：IRF3709S-ND
  别名：*IRF3709S
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3709L
  仓库库存编号：IRF3709L-ND
  别名：*IRF3709L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3709
  仓库库存编号：IRF3709-ND
  别名：*IRF3709
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRL
  仓库库存编号：IRF3709STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRR
  仓库库存编号：IRF3709STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VTRL
  仓库库存编号：IRLR8103VTRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VTRR
  仓库库存编号：IRLR8103VTRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3709LPBF
  仓库库存编号：IRF3709LPBF-ND
  别名：*IRF3709LPBF
  SP001561748
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VTRRPBF
  仓库库存编号：IRLR8103VTRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRRPBF
  仓库库存编号：IRF3709STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VTRLPBF
  仓库库存编号：IRLR8103VTRLPBF-ND
  别名：SP001558542
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2672pF @ 16V,
• 无铅
• 搜索