规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Tc) 1.1W(Ta),1.8W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2307CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2307CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2307CDS-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 2.3W(Ta) 6-WSON(2x2)
型号:
CSD17313Q2
仓库库存编号:
296-27233-1-ND
别名:296-27233-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3K335R,LF
仓库库存编号:
SSM3K335RLFCT-ND
别名:SSM3K335RLF(TCT
SSM3K335RLF(TCT-ND
SSM3K335RLFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Tc) 1.1W(Ta),1.8W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2307CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2307CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2307CDS-T1-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 2.3W(Ta) 6-WSON(2x2)
型号:
CSD17313Q2Q1
仓库库存编号:
296-35548-1-ND
别名:296-35548-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 3A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9620GPBF
仓库库存编号:
IRFI9620GPBF-ND
别名:*IRFI9620GPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23
型号:
SI2307-TP
仓库库存编号:
SI2307-TPMSCT-ND
别名:SI2307-TPMSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3434
仓库库存编号:
785-1018-2-ND
别名:785-1018-2
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9620G
仓库库存编号:
IRFI9620G-ND
别名:*IRFI9620G
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V,
含铅
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