规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6160pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) 190W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4710PBF
仓库库存编号:
IRFP4710PBF-ND
别名:*IRFP4710PBF
SP001575990
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4710PBF
仓库库存编号:
IRFB4710PBF-ND
别名:*IRFB4710PBF
SP001556118
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6160pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH80N20L
仓库库存编号:
IXTH80N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6160pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT80N20L
仓库库存编号:
IXTT80N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6160pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 480W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS29N60LPBF
仓库库存编号:
IRFPS29N60LPBF-ND
别名:*IRFPS29N60LPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4710PBF
仓库库存编号:
IRFSL4710PBF-ND
别名:*IRFSL4710PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4710PBF
仓库库存编号:
IRFS4710PBF-ND
别名:*IRFS4710PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6160pF @ 25V,
无铅
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