规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 179W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB20N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHB20N50E-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP15N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHP15N65E-GE3-ND
别名:SIHP15N65E-GE3CT
SIHP15N65E-GE3CT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA20N50E-E3
仓库库存编号:
SIHA20N50E-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA6N65E-E3
仓库库存编号:
SIHA6N65E-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP20N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHP20N50E-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 179W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG20N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHG20N50E-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF15N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF15N65E-GE3-ND
别名:SIHF15N65E-GE3CT
SIHF15N65E-GE3CT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP18N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP18N60E-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA18N60E-E3
仓库库存编号:
SIHA18N60E-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 179W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB18N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB18N60E-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 100V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB15N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB15N65E-GE3-ND
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