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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10N95K5
  仓库库存编号：497-14568-5-ND
  别名：497-14568-5
  STP10N95K5-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：STW10N95K5
  仓库库存编号：497-14579-5-ND
  别名：497-14579-5
  STW10N95K5-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N95K5
  仓库库存编号：497-14552-5-ND
  别名：497-14552-5
  STF10N95K5-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10N95K5
  仓库库存编号：497-14971-1-ND
  别名：497-14971-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R520CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R520CP
  IPA60R520CP-ND
  SP000405856
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R520CPAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R520CPAKSA1-ND
  别名：IPI60R520CP
  IPI60R520CP-ND
  SP000405872
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R520CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R520CP
  IPP60R520CP-ND
  SP000405860
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R520CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R520CPATMA1CT-ND
  别名：IPB60R520CPCT
  IPB60R520CPCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R520CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R520CPCT
  IPD60R520CPCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R520CPATMA1-ND
  别名：SP000680640
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 100V,
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