规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP22N60E-E3-ND
别名:SIHP22N60EE3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG22N60E-E3-ND
别名:SIHG22N60EE3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHA22N60E-E3-ND
别名:SIHA22N60E-E3CT
SIHA22N60E-E3CT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHB22N60E-E3-ND
别名:SIHB22N60EE3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc)
型号:
SIHP22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP22N60E-GE3-ND
别名:SIHP22N60E-GE3CT
SIHP22N60E-GE3CT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N60E-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF22N60E-GE3CT-ND
别名:SIHF22N60E-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60E-GE3-ND
别名:SIHB22N60EGE3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB22N60ET1-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60ET1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB22N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60ET5-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V,
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