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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 25W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：STF16N50M2
  仓库库存编号：497-15114-5-ND
  别名：497-15114-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R1K2C3
  仓库库存编号：IPA90R1K2C3-ND
  别名：IPA90R1K2C3XKSA1
  Q4141204
  SP000413714
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：STD16N50M2
  仓库库存编号：497-15111-1-ND
  别名：497-15111-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90R1K2C3BTMA1
  仓库库存编号：IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
  别名：IPD90R1K2C3BTMA1CT
  IPD90R1K2C3CT
  IPD90R1K2C3CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90R1K2C3ATMA1
  仓库库存编号：IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
  别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R380C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R380C6ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD65R380C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R380C6BTMA1CT
  IPD65R380C6CT
  IPD65R380C6CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP90R1K2C3
  仓库库存编号：IPP90R1K2C3-ND
  别名：IPP90R1K2C3XKSA1
  SP000411302
  SP000683096
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R1K2C3
  仓库库存编号：IPW90R1K2C3-ND
  别名：IPW90R1K2C3FKSA1
  SP000413754
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R380E6
  仓库库存编号：IPA65R380E6-ND
  别名：IPA65R380E6XKSA1
  SP000795282
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R380E6
  仓库库存编号：IPP65R380E6-ND
  别名：IPP65R380E6XKSA1
  SP000795280
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP16N50M2
  仓库库存编号：497-15274-5-ND
  别名：497-15274-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc） 118W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R400CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R400CEAUMA1-ND
  别名：SP001466800
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R400CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R400CEXKSA1-ND
  别名：SP001429766
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD65R380E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R380E6BTMA1CT
  IPD65R380E6CT
  IPD65R380E6CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R380E6ATMA1-ND
  别名：SP001117736
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.1A（Tc） 83W（Tc） Thin-Pak（8x8）
  
  型号：IPL65R420E6AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R420E6AUMA1-ND
  别名：SP000895214
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90R1K2C3XKSA1
  仓库库存编号：IPI90R1K2C3XKSA1-ND
  别名：IPI90R1K2C3
  IPI90R1K2C3-ND
  SP000413724
  SP000683080
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R380C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R380C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R380C6CT
  IPB65R380C6CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R380C6XKSA1-ND
  别名：IPP65R380C6
  IPP65R380C6-ND
  SP000785082
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R380C6XKSA1-ND
  别名：IPA65R380C6
  IPA65R380C6-ND
  SP000720896
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R380C6XKSA1-ND
  别名：IPI65R380C6
  IPI65R380C6-ND
  SP000785080
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V,
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