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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP13N95K3
  仓库库存编号：497-10784-5-ND
  别名：497-10784-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190E6XKSA1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13N95K3
  仓库库存编号：497-12568-5-ND
  别名：497-12568-5
  STF13N95K3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI13N95K3
  仓库库存编号：497-13267-5-ND
  别名：497-13267-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190C6XKSA1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW13N95K3
  仓库库存编号：497-10772-5-ND
  别名：497-10772-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R190E6AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R190E6AUMA1-ND
  别名：SP001074938
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R190C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R190C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R190C6CT
  IPB65R190C6CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R190C6XKSA1-ND
  别名：IPA65R190C6
  IPA65R190C6-ND
  SP000863892
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R190E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R190E6XKSA1-ND
  别名：IPA65R190E6
  IPA65R190E6-ND
  SP000863904
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R190C6XKSA1-ND
  别名：IPI65R190C6
  IPI65R190C6-ND
  SP000863900
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R190C6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R190C6FKSA1-ND
  别名：IPW65R190C6
  IPW65R190C6-ND
  SP000863902
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R190E6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R190E6FKSA1-ND
  别名：IPW65R190E6
  IPW65R190E6-ND
  SP000863906
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V,
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