以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP400N4F6
  仓库库存编号：497-13973-5-ND
  别名：497-13973-5
  STP400N4F6-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB100N50P
  仓库库存编号：IXFB100N50P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI400N4F6
  仓库库存编号：497-14566-5-ND
  别名：497-14566-5
  STI400N4F6-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N50P
  仓库库存编号：IXFN100N50P-ND
  别名：615236
  Q3394492
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX120N30T
  仓库库存编号：IXFX120N30T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 360A（Tc） 935W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH360N055T2
  仓库库存编号：IXTH360N055T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 360A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 360A（Tc） 935W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT360N055T2
  仓库库存编号：IXTT360N055T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 120A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK120N30T
  仓库库存编号：IXFK120N30T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 70A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL100N50P
  仓库库存编号：IXFL100N50P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 170A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB170N30P
  仓库库存编号：IXFB170N30P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 138A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N30P
  仓库库存编号：IXFN170N30P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 278A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 278A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM10DAM05TG
  仓库库存编号：APTM10DAM05TG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 278A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 278A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM10SKM05TG
  仓库库存编号：APTM10SKM05TG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 278A 780W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM10AM05FTG
  仓库库存编号：APTM10AM05FTG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM10DHM05G
  仓库库存编号：APTM10DHM05G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM10HM05FG
  仓库库存编号：APTM10HM05FG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 278A 780W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM10DUM05TG
  仓库库存编号：APTM10DUM05TG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20000pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索