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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH50P10
  仓库库存编号：IXTH50P10-ND
  别名：606059
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100H45SCTG
  仓库库存编号：APTM100H45SCTG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 137W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK969R0-60E,118
  仓库库存编号：1727-7264-1-ND
  别名：1727-7264-1
  568-9894-1
  568-9894-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB80NF55L-08-1
  仓库库存编号：497-12542-5-ND
  别名：497-12542-5
  STB80NF55L-08-1-ND
  STB80NF55L081
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100H45STG
  仓库库存编号：APTM100H45STG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 21A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10045JLL
  仓库库存编号：APT10045JLL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10045B2LLG
  仓库库存编号：APT10045B2LLG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 172W（Tc） DPAK
  
  型号：STD170N4F7AG
  仓库库存编号：497-17307-1-ND
  别名：497-17307-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 660W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH52N65X
  仓库库存编号：IXTH52N65X-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT50P10
  仓库库存编号：IXTT50P10-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM100H45FT3G
  仓库库存编号：APTM100H45FT3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4350pF @ 25V,
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