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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 1.6W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3433CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3433CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3433CDV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8499DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8499DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8499DB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.4W（Ta），17.9W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA461DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA461DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA461DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1C025ZPT2CR
  仓库库存编号：RW1C025ZPT2CRCT-ND
  别名：RW1C025ZPT2CRCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3433CDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3433CDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3433CDV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A TSST8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.25W（Ta） 8-TSST
  
  型号：RT1E050RPTR
  仓库库存编号：RT1E050RPCT-ND
  别名：RT1E050RPTRCT
  RT1E050RPTRCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1E050RPTR
  仓库库存编号：RQ1E050RPCT-ND
  别名：RQ1E050RPCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 14.1A, 20A 3W, 5.4W Surface Mount 14-SOIC
  
  型号：SI4340CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4340CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4340CDY-T1-E3CT
  SI4340CDYT1E3
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSH110N03TB1
  仓库库存编号：RSH110N03TB1CT-ND
  别名：RSH110N03TB1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 22V 49A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 6.5W（Ta），39.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N024-09P-E3
  仓库库存编号：SUD50N024-09P-E3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 2.36W, 2.8W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ700DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ700DT-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS110N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS110N03FU6TB-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS110N03TB
  仓库库存编号：RSS110N03TBCT-ND
  别名：RSS110N03TBCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK2544(F)
  仓库库存编号：2SK2544(F)-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8003-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8003-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8003-H(TE12LQMCT
  TPCC8003HTE12LQM
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5W（Ta），39.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N02-09P-E3
  仓库库存编号：SUD50N02-09P-E3CT-ND
  别名：SUD50N02-09P-E3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：UPA1764G-E2-AZ
  仓库库存编号：UPA1764G-E2-AZ-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 20A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 20A（Ta） 39.5W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD50N02-09P-GE3
  仓库库存编号：SUD50N02-09P-GE3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V,
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