规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 690W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH50N30Q3
仓库库存编号:
IXFH50N30Q3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L-07
仓库库存编号:
IPP80N06S2L-07-ND
别名:IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名:SP001067894
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L07ATMA3
仓库库存编号:
IPB80N06S2L07ATMA3CT-ND
别名:IPB80N06S2L07ATMA3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 21.7A(Tc) 240W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW24N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW24N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000264428
SPW24N60CFD
SPW24N60CFD-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 10A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 403W(Tc) TO-247
型号:
AOK10N90
仓库库存编号:
AOK10N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF10N90
仓库库存编号:
AOTF10N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-07
IPB80N06S2L-07-ND
SP000218867
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 21.7A(Tc) 240W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP24N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP24N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000264426
SP000681070
SPP24N60CFD
SPP24N60CFD-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3160pF @ 25V,
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