以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2307BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2307BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2307BDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Ta） 750mW（Ta）
  
  型号：SI2307BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2307BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2307BDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17585F5T
  仓库库存编号：296-45068-1-ND
  别名：296-45068-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 15V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Tc） 1.5W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1472DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1472DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1472DH-T1-E3CT
  SI1472DHT1E3
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 9.5A, 38A Surface Mount Die
  
  型号：EPC2100ENG
  仓库库存编号：917-EPC2100ENG-ND
  别名：917-EPC2100ENG
  EPC2100ENGR_H1
  EPC2100ENGRH1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索