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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3A01FTA
  仓库库存编号：ZXMN3A01FCT-ND
  别名：ZXMN3A01FCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
  
  型号：ZXMC3AMCTA
  仓库库存编号：ZXMC3AMCTACT-ND
  别名：ZXMC3AMCTACT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：ZXMHC3A01N8TC
  仓库库存编号：ZXMHC3A01N8DICT-ND
  别名：ZXMHC3A01N8DICT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.7A, 2A 1.3W Surface Mount SM8
  
  型号：ZXMHC3A01T8TA
  仓库库存编号：ZXMHC3A01T8CT-ND
  别名：ZXMHC3A01T8CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 100mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VP2450N3-G
  仓库库存编号：VP2450N3-G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
  
  型号：ZXMN3AMCTA
  仓库库存编号：ZXMN3AMCTACT-ND
  别名：ZXMN3AMCTACT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.13W Surface Mount 8-MLP (3x2)
  
  型号：ZXMN3AM832TA
  仓库库存编号：ZXMN3AM832CT-ND
  别名：ZXMN3AM832CT
  ZXMN3AM832TA-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 500V 0.16A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 160mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：VP2450N8-G
  仓库库存编号：VP2450N8-GCT-ND
  别名：VP2450N8-GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL014NTRPBF
  仓库库存编号：IRFL014NPBFCT-ND
  别名：*IRFL014NTRPBF
  IRFL014NPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN3A01E6TA
  仓库库存编号：ZXMN3A01E6CT-ND
  别名：ZXMN3A01E6CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 1.5A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AUIRFL014NTR
  仓库库存编号：AUIRFL014NTR-ND
  别名：SP001521554
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x3)
  
  型号：ZXMC3AM832TA
  仓库库存编号：ZXMC3AM832TACT-ND
  别名：ZXMC3AM832TACT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.8A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3A01FTC
  仓库库存编号：ZXMN3A01FTC-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N50C3
  仓库库存编号：SPD02N50C3INTR-ND
  别名：SP000014476
  SPD02N50C3INTR
  SPD02N50C3XT
  SPD02N50C3XT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 1.5A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AUIRFL014N
  仓库库存编号：AUIRFL014N-ND
  别名：SP001520734
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 25V,
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