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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKC10M0
仓库库存编号：
HVCB2010FKC10M0CT-ND
别名：HVCB2010FKC10M0CT
HVCB2010T210M1%ICT
HVCB2010T210M1%ICT-ND
HVCB2010T210MFICT
HVCB2010T210MFICT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKC1M00
仓库库存编号：
HVCB2010FKC1M00CT-ND
别名：HVCB2010FKC1M00CT
HVCB2010T21M1%ICT
HVCB2010T21M1%ICT-ND
HVCB2010T21MFICT
HVCB2010T21MFICT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 499K OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKC499K
仓库库存编号：
HVCB2512FKC499KCT-ND
别名：HVCB2512FKC499KCT
HVCB2512T2499K1%ICT
HVCB2512T2499K1%ICT-ND
HVCB2512T2499KFICT
HVCB2512T2499KFICT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100K OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKC100K
仓库库存编号：
HVCB2512FKC100KCT-ND
别名：HVCB2512FKC100LCT
HVCB2512FKC100LCT-ND
HVCB2512T2100K1%ICT
HVCB2512T2100K1%ICT-ND
HVCB2512T2100KCT-ND
HVCB2512T2100KFICT
HVCB2512T2100KFICT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKC1M00
仓库库存编号：
HVCB2512FKC1M00CT-ND
别名：HVCB2512FKC1M00CT
HVCB2512T21M1%ICT
HVCB2512T21M1%ICT-ND
HVCB2512T21MFICT
HVCB2512T21MFICT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKC10M0
仓库库存编号：
HVCB2512FKC10M0CT-ND
别名：HVCB2512FKC10M0CT
HVCB2512T210M1%ICT
HVCB2512T210M1%ICT-ND
HVCB2512T210MFICT
HVCB2512T210MFICT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 20M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKC20M0
仓库库存编号：
HVCB2512FKC20M0CT-ND
别名：HVCB2512FKC20M0CT
HVCB2512T220M1%ICT
HVCB2512T220M1%ICT-ND
HVCB2512T220MFICT
HVCB2512T220MFICT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKC100M
仓库库存编号：
HVCB2010FKC100MCT-ND
别名：HVCB2010FKC100MCT
HVCB2010T2100M1%ICT
HVCB2010T2100M1%ICT-ND
HVCB2010T2100MFICT
HVCB2010T2100MFICT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKC100M
仓库库存编号：
HVCB2512FKC100MCT-ND
别名：HVCB2512FKC100MCT
HVCB2512T2100M1%ICT
HVCB2512T2100M1%ICT-ND
HVCB2512T2100MFICT
HVCB2512T2100MFICT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 60K OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FDD60K0
仓库库存编号：
HVCB2512FDD60K0CT-ND
别名：HVCB2512FDD60K0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 3M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FDD3M00
仓库库存编号：
HVCB2512FDD3M00CT-ND
别名：HVCB2512FDD3M00CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 250K OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FDC250K
仓库库存编号：
HVCB2512FDC250KCT-ND
别名：HVCB2512FDC250KCT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 200M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FDD200M
仓库库存编号：
HVCB2512FDD200MCT-ND
别名：HVCB2512FDD200MCT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 0.1% 2W 2512
详细描述：±0.1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512BDE10M0
仓库库存编号：
HVCB2512BDE10M0CT-ND
别名：HVCB2512BDE10M0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10K OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FDD10K0
仓库库存编号：
HVCB2512FDD10K0CT-ND
别名：HVCB2512FDD10K0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 30M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FDD30M0
仓库库存编号：
HVCB2512FDD30M0CT-ND
别名：HVCB2512FDD30M0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FDD10M0
仓库库存编号：
HVCB2010FDD10M0CT-ND
别名：HVCB2010FDD10M0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FDC100M
仓库库存编号：
HVCB2010FDC100MCT-ND
别名：HVCB2010FDC100MCT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FDC1M00
仓库库存编号：
HVCB2010FDC1M00CT-ND
别名：HVCB2010FDC1M00CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 50K OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FDD50K0
仓库库存编号：
HVCB2512FDD50K0CT-ND
别名：HVCB2512FDD50K0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100K OHM 20% 2W 2512
详细描述：±20% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512MDD100K
仓库库存编号：
HVCB2512MDD100KCT-ND
别名：HVCB2512LDD100KCT
HVCB2512LDD100KCT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 33M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JDL33M0
仓库库存编号：
HVCB2512JDL33M0CT-ND
别名：HVCB2512JDL33M0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 50M OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KDD50M0
仓库库存编号：
HVCB2512KDD50M0CT-ND
别名：HVCB2512KDD50M0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FDL500K
仓库库存编号：
HVCB2010FDL500KCT-ND
别名：HVCB2010FDL500KCT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 75M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FDE75M0
仓库库存编号：
HVCB2512FDE75M0CT-ND
别名：HVCB2512FDE75M0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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