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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FDD10K0
仓库库存编号：
HVCB2010FDD10K0CT-ND
别名：HVCB2010FDD10K0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FDC2M00
仓库库存编号：
HVCB2010FDC2M00CT-ND
别名：HVCB2010FDC2M00CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 0.1% 1W 2010
详细描述：±0.1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010BDE1M00
仓库库存编号：
HVCB2010BDE1M00CT-ND
别名：HVCB2010BDE1M00CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 0.1% 1W 2010
详细描述：±0.1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010BDE10M0
仓库库存编号：
HVCB2010BDE10M0CT-ND
别名：HVCB2010BDE10M0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 50M OHM 0.1% 1W 2010
详细描述：±0.1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010BDE50M0
仓库库存编号：
HVCB2010BDE50M0CT-ND
别名：HVCB2010BDE50M0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500G OHM 20% 2W 2512
详细描述：±20% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512MDM50G0
仓库库存编号：
HVCB2512MDM50G0CT-ND
别名：HVCB2512MDM500GCT
HVCB2512MDM500GCT-ND
HVCB2512MDM50G0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1G OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JDL1G00
仓库库存编号：
HVCB2010JDL1G00CT-ND
别名：HVCB2010JDL1G00CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 0.1% 2W 2512
详细描述：±0.1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512BDE1M00
仓库库存编号：
HVCB2512BDE1M00CT-ND
别名：HVCB2512BDE1M00CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1G OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FKC1G00
仓库库存编号：
HVCB2512FKC1G00CT-ND
别名：HVCB2512FKC1G00CT
HVCB2512T21G1%ICT
HVCB2512T21G1%ICT-ND
HVCB2512T21GFICT
HVCB2512T21GFICT-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500M OHM 0.5% 1W 2010
详细描述：±0.5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010DDC500M
仓库库存编号：
HVCB2010DDC500MCT-ND
别名：HVCB2010DDC500MCT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 50M OHM 0.1% 2W 2512
详细描述：±0.1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512BDE50M0
仓库库存编号：
HVCB2512BDE50M0CT-ND
别名：HVCB2512BDE50M0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 0.1% 2W 2512
详细描述：±0.1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512BDE100M
仓库库存编号：
HVCB2512BDE100MCT-ND
别名：HVCB2512BDE100MCT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES 100M 1200V 0.1% 25PPM 1206
详细描述：±0.01% 0.33W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206BKE100M
仓库库存编号：
HVCB1206BKE100MCT-ND
别名：HVCB1206BKE100MCT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 0.1% 1W 2010
详细描述：±0.1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010BDE100M
仓库库存编号：
HVCB2010BDE100MTR-ND
别名：HVCB2010BDE100MTR
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 0.1% 1W 2010
详细描述：±0.1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010BDE100M
仓库库存编号：
HVCB2010BDE100MCT-ND
别名：HVCB2010BDE100MCT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 0.1% 1W 2010
详细描述：±0.1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010BDE100M
仓库库存编号：
HVCB2010BDE100MDKR-ND
别名：HVCB2010BDE100MDKR
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 125K OHM 0.1% 2W 2512
详细描述：±0.1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512BDC125K
仓库库存编号：
HVCB2512BDC125KCT-ND
别名：HVCB2512BDC125KCT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Ohmite
RES ARRAY 4 RES 5G OHM 8SMD
详细描述：5G Ohm ±10% 750mW Power Per Element Isolated Resistor Network/Array ±100ppm/°C 8-SMD
型号：
MC4-5007KE
仓库库存编号：
MC4-5007KE-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 20M OHM 1% 2W 2512
详细描述：±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512FDD20M0
仓库库存编号：
HVCB2512FDD20M0CT-ND
别名：HVCB2512FDD20M0CT
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JTL10M0
仓库库存编号：
HVCB2010JTL10M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 560K OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KTL560K
仓库库存编号：
HVCB2010KTL560K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KTL10M0
仓库库存编号：
HVCB2010KTL10M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL10M0
仓库库存编号：
HVCB2010JKL10M0-ND
别名：HVCB 2010 T0 10M 5% I
HVCB2010T010M5%I
HVCB2010T010M5%I-ND
HVCB2010T010MJI
HVCB2010T010MJI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 150K OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL150K
仓库库存编号：
HVCB2010JKL150K-ND
别名：HVCB 2010 T0 150K 5% I
HVCB2010T0150K5%I
HVCB2010T0150K5%I-ND
HVCB2010T0150KJI
HVCB2010T0150KJI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 15M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL15M0
仓库库存编号：
HVCB2010JKL15M0-ND
别名：HVCB 2010 T0 15M 5% I
HVCB2010T015M5%I
HVCB2010T015M5%I-ND
HVCB2010T015MJI
HVCB2010T015MJI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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