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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 390K OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL390K
仓库库存编号：
HVCB2010JKL390K-ND
别名：HVCB 2010 T0 390K 5% I
HVCB2010T0390K5%I
HVCB2010T0390K5%I-ND
HVCB2010T0390KJI
HVCB2010T0390KJI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL500K
仓库库存编号：
HVCB2010JKL500K-ND
别名：HVCB 2010 T0 500K 5% I
HVCB2010T0500K5%I
HVCB2010T0500K5%I-ND
HVCB2010T0500KJI
HVCB2010T0500KJI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JTD500K
仓库库存编号：
HVCB2010JTD500K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 4.7M OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KTD4M70
仓库库存编号：
HVCB2010KTD4M70-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JTC10M0
仓库库存编号：
HVCB2010JTC10M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 300M OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KTL300M
仓库库存编号：
HVCB2010KTL300M-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1.5K OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JKL1K50
仓库库存编号：
HVCB2512JKL1K50-ND
别名：HVCB 2512 T0 1.5K 5% I
HVCB2512T01.5K5%I
HVCB2512T01.5K5%I-ND
HVCB2512T01.5KJI
HVCB2512T01.5KJI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 270K OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KKL270K
仓库库存编号：
HVCB2512KKL270K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KKL10M0
仓库库存编号：
HVCB2512KKL10M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100K OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KTL100K
仓库库存编号：
HVCB2512KTL100K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 270K OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KTL270K
仓库库存编号：
HVCB2512KTL270K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KTL10M0
仓库库存编号：
HVCB2512KTL10M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTL2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FTL2M21-ND
别名：HVCB 2010 T0 2.21M 1% R
HVCB2010T02.21M1%R
HVCB2010T02.21M1%R-ND
HVCB2010T02.21MFR
HVCB2010T02.21MFR-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTL500K
仓库库存编号：
HVCB2010FTL500K-ND
别名：HVCB 2010 T0 500K 1% R
HVCB2010T0500K1%R
HVCB2010T0500K1%R-ND
HVCB2010T0500KFR
HVCB2010T0500KFR-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTL249K
仓库库存编号：
HVCB2010FTL249K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 250M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL250M
仓库库存编号：
HVCB2010JKL250M-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 4.7M OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KKD4M70
仓库库存编号：
HVCB2010KKD4M70-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1.82K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL1K82
仓库库存编号：
HVCB2010FKL1K82-ND
别名：HVCB 2010 T0 1.82K 1% I
HVCB2010T01.82K1%I
HVCB2010T01.82K1%I-ND
HVCB2010T01.82KFI
HVCB2010T01.82KFI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KKL100M
仓库库存编号：
HVCB2512KKL100M-ND
别名：HVCB 2512 T0 100M 10% I
HVCB2512T0100M10%I
HVCB2512T0100M10%I-ND
HVCB2512T0100MKI
HVCB2512T0100MKI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JKL10M0
仓库库存编号：
HVCB2512JKL10M0-ND
别名：HVCB 2512 T0 10M 5% I
HVCB2512T010M5%I
HVCB2512T010M5%I-ND
HVCB2512T010MJI
HVCB2512T010MJI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTL10M0
仓库库存编号：
HVCB2512JTL10M0-ND
别名：HVCB 2512 T0 10M 5% R
HVCB2512T010M5%R
HVCB2512T010M5%R-ND
HVCB2512T010MJR
HVCB2512T010MJR-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 240K OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTL240K
仓库库存编号：
HVCB2512JTL240K-ND
别名：HVCB 2512 T0 240K 5% R
HVCB2512T0240K5%R
HVCB2512T0240K5%R-ND
HVCB2512T0240KJR
HVCB2512T0240KJR-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KKD10M0
仓库库存编号：
HVCB2512KKD10M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100K OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KTD100K
仓库库存编号：
HVCB2512KTD100K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
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RES SMD 10M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
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HVCB2010JKC10M0
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