规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1212)
电感器，线圈，扼流圈
(1008)
电阻器
(204)
筛选品牌
API Delevan Inc. (1008)
Ohmite (10)
Stackpole Electronics Inc. (194)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 40M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JKL40M0
仓库库存编号：
HVCB2512JKL40M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JKL100M
仓库库存编号：
HVCB2512JKL100M-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 40M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTL40M0
仓库库存编号：
HVCB2512JTL40M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 47M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTL47M0
仓库库存编号：
HVCB2512JTL47M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTL100M
仓库库存编号：
HVCB2512JTL100M-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FKL2M21-ND
别名：HVCB 2010 T0 2.21M 1% I
HVCB2010T02.21M1%I
HVCB2010T02.21M1%I-ND
HVCB2010T02.21MFI
HVCB2010T02.21MFI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL500K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL500K-ND
别名：HVCB 2010 T0 500K 1% I
HVCB2010T0500K1%I
HVCB2010T0500K1%I-ND
HVCB2010T0500KFI
HVCB2010T0500KFI-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FTD2M21-ND
别名：HVCB 2010 T1 2.21M 1% R
HVCB2010T12.21M1%R
HVCB2010T12.21M1%R-ND
HVCB2010T12.21MFR
HVCB2010T12.21MFR-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD500K
仓库库存编号：
HVCB2010FTD500K-ND
别名：HVCB 2010 T1 500K 1% R
HVCB2010T1500K1%R
HVCB2010T1500K1%R-ND
HVCB2010T1500KFR
HVCB2010T1500KFR-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTD10M0
仓库库存编号：
HVCB2512JTD10M0-ND
别名：HVCB 2512 T1 10M 5% R
HVCB2512T110M5%R
HVCB2512T110M5%R-ND
HVCB2512T110MJR
HVCB2512T110MJR-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTD1M00
仓库库存编号：
HVCB2512JTD1M00-ND
别名：HVCB 2512 T1 1M 5% R
HVCB2512T11M5%R
HVCB2512T11M5%R-ND
HVCB2512T11MJR
HVCB2512T11MJR-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 3M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTD3M00
仓库库存编号：
HVCB2512JTD3M00-ND
别名：HVCB 2512 T1 3M 5% R
HVCB2512T13M5%R
HVCB2512T13M5%R-ND
HVCB2512T13MJR
HVCB2512T13MJR-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 50K OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JKD50K0
仓库库存编号：
HVCB2512JKD50K0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JKD1M00
仓库库存编号：
HVCB2512JKD1M00-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 3.3M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTD3M30
仓库库存编号：
HVCB2512JTD3M30-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 5M OHM 5% 2W 2512
详细描述：±5% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512JTD5M00
仓库库存编号：
HVCB2512JTD5M00-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD249K
仓库库存编号：
HVCB2010FTD249K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD2M00
仓库库存编号：
HVCB2010FTD2M00-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL249K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL249K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 301K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL301K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL301K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL10M0
仓库库存编号：
HVCB2010FKL10M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1G OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL1G00
仓库库存编号：
HVCB2010JKL1G00-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 250M OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KKL250M
仓库库存编号：
HVCB2512KKL250M-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 10% 2W 2512
详细描述：±10% 2W 厚膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2512KKC10M0
仓库库存编号：
HVCB2512KKC10M0-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKD500K
仓库库存编号：
HVCB2010FKD500K-ND
规格：高度 - 安装（最大值） 0.030"（0.76mm）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
