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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 4M OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FKD4M00-PB
仓库库存编号:
HVCB2512FKD4M00-PB-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
含铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 560 OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FKD560R
仓库库存编号:
HVCB2512FKD560R-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FKD10K0
仓库库存编号:
HVCB2512FKD10K0-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 40.2K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FKD40K2
仓库库存编号:
HVCB2512FKD40K2-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 50K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FKD50K0
仓库库存编号:
HVCB2512FKD50K0-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 60K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FKD60K0
仓库库存编号:
HVCB2512FKD60K0-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 330K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FKD330K
仓库库存编号:
HVCB2512FKD330K-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 499K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FKD499K
仓库库存编号:
HVCB2512FKD499K-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 5M OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FKD5M00
仓库库存编号:
HVCB2512FKD5M00-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 30M OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FKD30M0
仓库库存编号:
HVCB2512FKD30M0-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD1K00
仓库库存编号:
HVCB2512FTD1K00-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD10K0
仓库库存编号:
HVCB2512FTD10K0-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 22.6K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD22K6
仓库库存编号:
HVCB2512FTD22K6-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 25K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD25K0
仓库库存编号:
HVCB2512FTD25K0-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 40.2K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD40K2
仓库库存编号:
HVCB2512FTD40K2-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 45.3K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD45K3
仓库库存编号:
HVCB2512FTD45K3-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 50K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD50K0
仓库库存编号:
HVCB2512FTD50K0-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD100K
仓库库存编号:
HVCB2512FTD100K-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 330K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD330K
仓库库存编号:
HVCB2512FTD330K-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
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RES SMD 511K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD511K
仓库库存编号:
HVCB2512FTD511K-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 562K OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD562K
仓库库存编号:
HVCB2512FTD562K-ND
规格:高度 - 安装(最大值) 0.030"(0.76mm),
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2M OHM 1% 2W 2512
详细描述:±1% 2W 厚膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2512FTD2M00
仓库库存编号:
HVCB2512FTD2M00-ND
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RES SMD 6M OHM 1% 2W 2512
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HVCB2512FTD6M00
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