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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30mA（Tj） 1.6W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：LND150N8-G
  仓库库存编号：LND150N8-GCT-ND
  别名：LND150N8-GCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3525N8-G
  仓库库存编号：DN3525N8-GCT-ND
  别名：DN3525N8-GCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN2540N8-G
  仓库库存编号：DN2540N8-GCT-ND
  别名：DN2540N8-GCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Tj） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DN2625K4-G
  仓库库存编号：DN2625K4-GCT-ND
  别名：DN2625K4-GCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 695W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT16N20D2
  仓库库存编号：IXTT16N20D2-ND
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tj） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT2N170D2
  仓库库存编号：IXTT2N170D2-ND
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS139H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS139H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS139 H6327CT
  BSS139 H6327CT-ND
  BSS139H6327XTSA1CT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS159NH6906XTSA1
  仓库库存编号：BSS159NH6906XTSA1CT-ND
  别名：BSS159N H6906CT
  BSS159N H6906CT-ND
  BSS159NH6906XTSA1CT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：CPC3703CTR
  仓库库存编号：CPC3703CCT-ND
  别名：CPC3703CCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 330mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-5
  
  型号：LND01K1-G
  仓库库存编号：LND01K1-GCT-ND
  别名：LND01K1-GCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC5602CTR
  仓库库存编号：CLA298CT-ND
  别名：CLA298CT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 72mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：DN3135K1-G
  仓库库存编号：DN3135K1-GCT-ND
  别名：DN3135K1-GCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：LND150N3-G
  仓库库存编号：LND150N3-G-ND
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP149H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP149H6327XTSA1CT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 135mA（Tj） 1.3W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3135N8-G
  仓库库存编号：DN3135N8-GCT-ND
  别名：DN3135N8-GCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tj） 1.3W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3145N8-G
  仓库库存编号：DN3145N8-GCT-ND
  别名：DN3145N8-GCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3535N8-G
  仓库库存编号：DN3535N8-GCT-ND
  别名：DN3535N8-GCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3545N8-G
  仓库库存编号：DN3545N8-GCT-ND
  别名：DN3545N8-GCT
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2530N3-G
  仓库库存编号：DN2530N3-G-ND
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 740mW（Ta） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN3545N3-G
  仓库库存编号：DN3545N3-G-ND
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2540N3-G
  仓库库存编号：DN2540N3-G-ND
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N100D2
  仓库库存编号：IXTY08N100D2-ND
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP01N100D
  仓库库存编号：IXTP01N100D-ND
  别名：607074
  Q1614635
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP6N50D2
  仓库库存编号：IXTP6N50D2-ND
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA6N50D2
  仓库库存编号：IXTA6N50D2-ND
  
  规格：FET 功能 耗尽模式,
• 无铅
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