规格：FET 功能 耗尽模式,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS169H6327XTSA1CT-ND
别名：BSS169 H6327CT
BSS169 H6327CT-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NH6327XTSA2
仓库库存编号：
BSS159NH6327XTSA2CT-ND
别名：BSS159NH6327XTSA2CT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126H6327XTSA2
仓库库存编号：
BSS126H6327XTSA2CT-ND
别名：BSS126H6327XTSA2CT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126H6906XTSA1
仓库库存编号：
BSS126H6906XTSA1CT-ND
别名：BSS126 H6906CT
BSS126 H6906CT-ND
BSS126H6906XTSA1CT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP129H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP129H6327XTSA1CT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 800V SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8W（Ta） SOT-223
型号：
CPC3980ZTR
仓库库存编号：
CLA4159-1-ND
别名：CLA4159-1
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223
型号：
CPC5603CTR
仓库库存编号：
CLA299CT-ND
别名：CLA299CT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223-4
型号：
BSP135H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP135H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP135H6327XTSA1CT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
型号：
DN2535N3-G
仓库库存编号：
DN2535N3-G-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 250V 1.1A Surface Mount 8-DFN (5x5)
型号：
DN2625DK6-G
仓库库存编号：
DN2625DK6-G-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA3N50D2
仓库库存编号：
IXTA3N50D2-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号：
ALD114835SCL
仓库库存编号：
1014-1060-ND
别名：1014-1060
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N100D2
仓库库存编号：
IXTH6N100D2-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 13mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-3
型号：
LND150K1-G
仓库库存编号：
LND150K1-GCT-ND
别名：LND150K1-GCT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 490mW（Ta） SOT-23-5
型号：
DN1509K1-G
仓库库存编号：
DN1509K1-GCT-ND
别名：DN1509K1-GCT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 800V SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 400mW（Ta） SOT-23
型号：
CPC3982TTR
仓库库存编号：
CLA4160-1-ND
别名：CLA4160-1
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN2530N8-G
仓库库存编号：
DN2530N8-GCT-ND
别名：DN2530N8-GCT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN2450N8-G
仓库库存编号：
DN2450N8-GCT-ND
别名：DN2450N8-GCT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 600V SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8W（Ta） SOT-223
型号：
CPC3960ZTR
仓库库存编号：
CLA4158-1-ND
别名：CLA4158-1
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Tj） 2.5W（Ta） TO-252-3
型号：
DN3765K4-G
仓库库存编号：
DN3765K4-GCT-ND
别名：DN3765K4-GCT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149H6906XTSA1
仓库库存编号：
BSP149H6906XTSA1CT-ND
别名：BSP149H6906XTSA1CT
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
型号：
DN2540N5-G
仓库库存编号：
DN2540N5-G-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY08N50D2
仓库库存编号：
IXTY08N50D2-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP08N100D2
仓库库存编号：
IXTP08N100D2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP08N50D2
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IXTP08N50D2-ND
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