规格:FET 功能 耗尽模式,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS169H6327XTSA1CT-ND
别名:BSS169 H6327CT
BSS169 H6327CT-ND
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NH6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS159NH6327XTSA2CT-ND
别名:BSS159NH6327XTSA2CT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS126H6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS126H6327XTSA2CT-ND
别名:BSS126H6327XTSA2CT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS126H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS126H6906XTSA1CT-ND
别名:BSS126 H6906CT
BSS126 H6906CT-ND
BSS126H6906XTSA1CT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP129H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP129H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP129H6327XTSA1CT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 800V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
CPC3980ZTR
仓库库存编号:
CLA4159-1-ND
别名:CLA4159-1
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5mA(Ta) 2.5W(Ta) SOT-223
型号:
CPC5603CTR
仓库库存编号:
CLA299CT-ND
别名:CLA299CT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 120mA(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223-4
型号:
BSP135H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP135H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP135H6327XTSA1CT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2535N3-G
仓库库存编号:
DN2535N3-G-ND
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 250V 1.1A Surface Mount 8-DFN (5x5)
型号:
DN2625DK6-G
仓库库存编号:
DN2625DK6-G-ND
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA3N50D2
仓库库存编号:
IXTA3N50D2-ND
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号:
ALD114835SCL
仓库库存编号:
1014-1060-ND
别名:1014-1060
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N100D2
仓库库存编号:
IXTH6N100D2-ND
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
LND150K1-G
仓库库存编号:
LND150K1-GCT-ND
别名:LND150K1-GCT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tj) 490mW(Ta) SOT-23-5
型号:
DN1509K1-G
仓库库存编号:
DN1509K1-GCT-ND
别名:DN1509K1-GCT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 800V SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mW(Ta) SOT-23
型号:
CPC3982TTR
仓库库存编号:
CLA4160-1-ND
别名:CLA4160-1
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN2530N8-G
仓库库存编号:
DN2530N8-GCT-ND
别名:DN2530N8-GCT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN2450N8-G
仓库库存编号:
DN2450N8-GCT-ND
别名:DN2450N8-GCT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 600V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
CPC3960ZTR
仓库库存编号:
CLA4158-1-ND
别名:CLA4158-1
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Tj) 2.5W(Ta) TO-252-3
型号:
DN3765K4-G
仓库库存编号:
DN3765K4-GCT-ND
别名:DN3765K4-GCT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP149H6906XTSA1CT-ND
别名:BSP149H6906XTSA1CT
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tj) 15W(Tc) TO-220-3
型号:
DN2540N5-G
仓库库存编号:
DN2540N5-G-ND
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY08N50D2
仓库库存编号:
IXTY08N50D2-ND
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP08N100D2
仓库库存编号:
IXTP08N100D2-ND
规格:FET 功能 耗尽模式,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
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IXTP08N50D2
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