规格：FET 功能 耗尽模式,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 350V SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 1.4W（Ta） SOT-89
型号：
CPC3714C
仓库库存编号：
CPC3714C-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 350V SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 1.4W（Ta） SOT-89
型号：
CPC3720C
仓库库存编号：
CPC3720C-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 350V SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 1.6W（Ta） SOT-89
型号：
CPC3730C
仓库库存编号：
CPC3730C-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129E6327
仓库库存编号：
BSP129INCT-ND
别名：BSP129INCT
规格：FET 功能 耗尽模式,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129E6327T
仓库库存编号：
BSP129XTINCT-ND
别名：BSP129XTINCT
规格：FET 功能 耗尽模式,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP129L6327HTSA1TR-ND
别名：BSP129 L6327
BSP129 L6327-ND
BSP129L6327XT
SP000089218
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSP129L6906HTSA1TR-ND
别名：BSP129 L6906
BSP129 L6906-ND
BSP129L6906XT
SP000089219
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135 E6327
仓库库存编号：
BSP135 E6327-ND
别名：BSP135E6327T
SP000011103
规格：FET 功能 耗尽模式,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135 E6906
仓库库存编号：
BSP135 E6906-ND
别名：BSP135E6906T
SP000055417
规格：FET 功能 耗尽模式,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSP135L6906HTSA1TR-ND
别名：BSP135 L6906
BSP135 L6906-ND
BSP135L6906XT
SP000089207
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149 E6327
仓库库存编号：
BSP149 E6327-ND
别名：BSP149E6327T
SP000011104
规格：FET 功能 耗尽模式,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149 E6906
仓库库存编号：
BSP149 E6906-ND
别名：BSP149E6906T
SP000055414
规格：FET 功能 耗尽模式,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSP149L6906HTSA1TR-ND
别名：BSP149 L6906
BSP149 L6906-ND
BSP149L6906XT
SP000089215
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126 E6327
仓库库存编号：
BSS126 E6327-ND
别名：BSS126E6327XT
SP000055447
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126 E6906
仓库库存编号：
BSS126 E6906-ND
别名：BSS126E6906XT
SP000055448
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS139 E6327
仓库库存编号：
BSS139 E6327-ND
别名：BSS139E6327XT
SP000011170
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS139 E6906
仓库库存编号：
BSS139 E6906-ND
别名：BSS139E6906XT
SP000055415
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159N E6327
仓库库存编号：
BSS159N E6327-ND
别名：BSS159NE6327XT
SP000014638
规格：FET 功能 耗尽模式,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159N E6906
仓库库存编号：
BSS159N E6906-ND
别名：BSS159NE6906XT
SP000055412
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169 E6327
仓库库存编号：
BSS169 E6327-ND
别名：BSS169E6327XT
SP000011172
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169 E6906
仓库库存编号：
BSS169 E6906-ND
别名：BSS169E6906XT
SP000055416
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP149L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP149L6327
BSP149L6327INCT
BSP149L6327INCT-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6327
BSS126 L6327-ND
SP000247303
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6906HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6906
BSS126 L6906-ND
SP000247304
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS139L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS139L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS139 L6327
BSS139 L6327-ND
SP000247295
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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