规格:FET 功能 耗尽模式,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6906HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6906
BSS139 L6906-ND
SP000247296
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS159NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS159N L6327
BSS159N L6327-ND
SP000247297
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS169L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS169 L6327
BSS169 L6327-ND
SP000247299
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS159NH6327XTSA1-ND
别名:BSS159N H6327
BSS159N H6327-ND
SP000639076
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP135L6433HTMA1
仓库库存编号:
BSP135L6433HTMA1CT-ND
别名:BSP135 L6433CT
BSP135 L6433CT-ND
BSP135L6433
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NL6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS159NL6906HTSA1CT-ND
别名:BSS159N L6906CT
BSS159N L6906CT-ND
BSS159NL6906
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS169L6906HTSA1CT-ND
别名:BSS169 L6906CT
BSS169 L6906CT-ND
规格:FET 功能 耗尽模式,
无铅
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