规格:FET 功能 超级结,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEATMA1-ND
别名:SP001295798
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600CEAUMA1-ND
别名:SP001466998
规格:FET 功能 超级结,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc) 118W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R400CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R400CEAUMA1-ND
别名:SP001466800
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5A(Tc) 20W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K5CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K5CEXKSA1-ND
别名:SP001429420
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.2A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R1K5CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R1K5CEXKSA1-ND
别名:SP001429484
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429478
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R600CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R600CEXKSA1-ND
别名:SP001391618
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R400CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R400CEXKSA1-ND
别名:SP001429766
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R380CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R380CEXKSA1-ND
别名:SP001391616
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS70R600CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R600CEAKMA1-ND
别名:SP001407894
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19.3A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R280CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R280CEXKSA1-ND
别名:SP001391614
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26.7A (Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R190CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R190CEXKSA1-ND
别名:SP001391612
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC13N80C
仓库库存编号:
IXKC13N80C-ND
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.4A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP10N60C5M
仓库库存编号:
IXKP10N60C5M-ND
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15.8A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK16A60W5,S4VX
仓库库存编号:
TK16A60W5S4VX-ND
别名:TK16A60W5S4VX
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11.5A(Ta) 100W(Tc) DPAK
型号:
TK12P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK12P60WRVQCT-ND
别名:TK12P60WRVQCT
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11.5A(Ta) 100W(Tc) I-Pak
型号:
TK12Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK12Q60WS1VQ-ND
别名:TK12Q60WS1VQ
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC90DDA12T1G
仓库库存编号:
APTC90DDA12T1G-ND
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC90DSK12T1G
仓库库存编号:
APTC90DSK12T1G-ND
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
型号:
APTC90H12T2G
仓库库存编号:
APTC90H12T2G-ND
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11.5A(Ta) 104W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK12V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK12V60WLVQCT-ND
别名:TK12V60WLVQCT
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 15.8A(Ta) 139W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK16V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK16V60WLVQCT-ND
别名:TK16V60WLVQCT
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 25.7W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R950CE
仓库库存编号:
IPA50R950CEIN-ND
别名:IPA50R950CEIN
IPA50R950CEXKSA1
SP000939328
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 34W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R950CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R950CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R950CEBTMA1CT
IPD50R950CEIN
IPD50R950CEIN-ND
IPD50R950CEINCT-ND
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 13A(Tc) 92W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R280CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R280CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R280CEBTMA1CT
IPD50R280CEIN
IPD50R280CEIN-ND
IPD50R280CEINCT
IPD50R280CEINCT-ND
规格:FET 功能 超级结,
无铅
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