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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V D2PAK
型号:
IRF3314STRL
仓库库存编号:
IRF3314STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 50V TO-220-3
型号:
IRFIZ46G
仓库库存编号:
IRFIZ46G-ND
别名:*IRFIZ46G
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V SOT-223
型号:
IRLL1503TR
仓库库存编号:
IRLL1503TR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 1.6A(Ta) SOT-223
型号:
IRLL1905TR
仓库库存编号:
IRLL1905TR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 150mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7008
仓库库存编号:
2N7008OS-ND
别名:2N7008OS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.5A Surface Mount TUMT5
型号:
US5K3TR
仓库库存编号:
US5K3CT-ND
别名:US5K3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) 20W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2096H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2096H-EL-E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2099H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2099H-EL-E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta) 15W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2116H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2116H-EL-E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 650V 22A(Ta) TO-247-3
型号:
IRFP22N60C3PBF
仓库库存编号:
IRFP22N60C3PBF-ND
别名:*IRFP22N60C3PBF
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V Surface Mount SC-70-6
型号:
FDG6314P
仓库库存编号:
FDG6314P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120mA(Ta) 500mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS107PSTOA
仓库库存编号:
BS107PSTOA-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120mA(Ta) 500mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS107PSTOB
仓库库存编号:
BS107PSTOB-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120mA(Ta) 500mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS107PSTZ
仓库库存编号:
BS107PSTZ-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V Surface Mount SOT-223
型号:
ZVN4206NTA
仓库库存编号:
ZVN4206NTA-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V Surface Mount SOT-223
型号:
ZVN4206NTC
仓库库存编号:
ZVN4206NTC-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V Surface Mount 8-SOP
型号:
ZXMN3A06N8TA
仓库库存编号:
ZXMN3A06N8TA-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA8PN50P
仓库库存编号:
IXTA8PN50P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.2A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMJ1027P
仓库库存编号:
FDMJ1027P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 160V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SJ162-E
仓库库存编号:
2SJ162-E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 160V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1058-E
仓库库存编号:
2SK1058-E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK2221-E
仓库库存编号:
2SK2221-E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1W(Ta) UPAK
型号:
2SK2315TYTR-E
仓库库存编号:
2SK2315TYTR-E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 15A(Ta) 50W(Tc) 4-LDPAK
型号:
HAF1002-90STL-E
仓库库存编号:
HAF1002-90STL-E-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
HAT2088R-EL-E
仓库库存编号:
HAT2088R-EL-E-ND
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