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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V D2PAK-7
型号:
BUK7C5R4-100EJ
仓库库存编号:
BUK7C5R4-100EJ-ND
别名:934067496118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V D2PAK-7
型号:
BUK9C2R2-60EJ
仓库库存编号:
BUK9C2R2-60EJ-ND
别名:934067485118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V D2PAK-7
型号:
BUK9C3R8-80EJ
仓库库存编号:
BUK9C3R8-80EJ-ND
别名:934067486118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V D2PAK-7
型号:
BUK9C5R3-100EJ
仓库库存编号:
BUK9C5R3-100EJ-ND
别名:934067487118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V TO-220AB
型号:
BUK951R8-40EQ
仓库库存编号:
BUK951R8-40EQ-ND
别名:934067634127
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6
仓库库存编号:
IPD60R600P6CT-ND
别名:IPD60R600P6CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 190A(Tc) D2PAK
型号:
BUK9C1R3-40EJ
仓库库存编号:
BUK9C1R3-40EJ-ND
别名:934067866118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
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手机网站:
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