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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R600C6
仓库库存编号:
IPB60R600C6CT-ND
别名:IPB60R600C6CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600C6
仓库库存编号:
IPP60R600C6-ND
别名:IPP60R600C6XKSA1
SP000645074
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 13W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R4K5P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R4K5P7AKMA1-ND
别名:SP001422748
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429758
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600E6
仓库库存编号:
IPD60R600E6CT-ND
别名:IPD60R600E6CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R500CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEIN
IPD50R500CEIN-ND
IPD50R500CEINCT
IPD50R500CEINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R650CEXKSA1-ND
别名:SP001276044
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.6A(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R500CE
仓库库存编号:
IPP50R500CEIN-ND
别名:IPP50R500CEIN
IPP50R500CEXKSA1
SP000939326
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
详细描述:N 沟道 9.9A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN60R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAN60R650CEXKSA1-ND
别名:SP001508816
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 500V 11.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN50R500CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAN50R500CEXKSA1-ND
别名:SP001508834
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD50R500CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEAUMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 13W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R4K5P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R4K5P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R4K5P7ATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6BKMA1-ND
别名:SP000931534
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600C6ATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R950C6AKMA1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K0CEAUMA1-ND
别名:SP001421368
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001276048
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 82W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R650CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R650CEBTMA1-ND
别名:SP001369530
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950C6ATMA1-ND
别名:SP001107082
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.4A(Tc) 28W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R500CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R500CEXKSA2-ND
别名:SP001217230
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6AKMA1-ND
别名:SP001292878
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) TO-252
型号:
IPD60R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117094
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R600CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R600CEXKSA1-ND
别名:SP001391618
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 63W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R660E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R660E6AUMA1-ND
别名:SP000895212
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 63W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R650CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R650CEATMA1CT
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