规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600E6XKSA1-ND
别名:IPA60R600E6
IPA60R600E6-ND
SP000797298
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600E6
仓库库存编号:
IPP60R600E6-ND
别名:IPP60R600E6XKSA1
SP000797630
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600C6XKSA1-ND
别名:IPA60R600C6
IPA60R600C6-ND
SP000660624
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R600C6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R600C6BTMA1CT
IPD60R600C6INCT
IPD60R600C6INCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 7.6A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R500CE
仓库库存编号:
IPA50R500CEIN-ND
别名:IPA50R500CEIN
IPA50R500CEXKSA1
SP000939320
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R500CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA,
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