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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC017N04NS G
  仓库库存编号：BSC017N04NS GCT-ND
  别名：BSC017N04NS GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 85μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC019N04NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC019N04NSGATMA1CT-ND
  别名：BSC019N04NS GCT
  BSC019N04NS GCT-ND
  BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 85μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50P04P413ATMA1
  仓库库存编号：IPD50P04P413ATMA1CT-ND
  别名：IPD50P04P413ATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 85μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N03S207ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S207ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N03S2-07
  IPD50N03S2-07-ND
  SP000254462
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 85μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2-07
  仓库库存编号：SPD50N03S2-07-ND
  别名：SP000016253
  SP000077579
  SPD50N03S207XT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 85μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 125W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU30N03S2-08
  仓库库存编号：SPU30N03S2-08-ND
  别名：SP000014129
  SPU30N03S208X
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 85μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S207GBTMA1
  仓库库存编号：SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
  别名：SPD50N03S2-07 GCT
  SPD50N03S2-07 GCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 85μA,
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