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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB035N08N3 G
  仓库库存编号：IPB035N08N3 GCT-ND
  别名：IPB035N08N3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 155μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB030N08N3 G
  仓库库存编号：IPB030N08N3 GCT-ND
  别名：IPB030N08N3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 155μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA037N08N3 G
  仓库库存编号：IPA037N08N3 G-ND
  别名：IPA037N08N3G
  IPA037N08N3GXKSA1
  SP000446772
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 155μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP037N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP037N08N3 G
  IPP037N08N3 G-ND
  IPP037N08N3G
  SP000680776
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 155μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI037N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI037N08N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680654
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 155μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI037N08N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI037N08N3GHKSA1-ND
  别名：IPI037N08N3 G
  IPI037N08N3 G-ND
  SP000454278
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 155μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N08N3GE8181XKSA1
  仓库库存编号：IPP037N08N3GE8181XKSA1-ND
  别名：IPP037N08N3 G E8181
  IPP037N08N3 G E8181-ND
  SP000765976
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 155μA,
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