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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 255W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R4-30B,118
仓库库存编号:
1727-5253-1-ND
别名:1727-5253-1
568-6577-1
568-6577-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN8R7-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7217-1-ND
别名:1727-7217-1
568-9708-1
568-9708-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45.1A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PHB45NQ15T,118
仓库库存编号:
1727-3057-1-ND
别名:1727-3057-1
568-2192-1
568-2192-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 182W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R0-40E,118
仓库库存编号:
1727-7253-1-ND
别名:1727-7253-1
568-9882-1
568-9882-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R9-60E,118
仓库库存编号:
1727-1066-1-ND
别名:1727-1066-1
568-10176-1
568-10176-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7610-100B,118
仓库库存编号:
1727-5249-1-ND
别名:1727-5249-1
568-6573-1
568-6573-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R0-55B,118
仓库库存编号:
1727-5254-1-ND
别名:1727-5254-1
568-6578-1
568-6578-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 293W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R1-60E,118
仓库库存编号:
1727-7252-1-ND
别名:1727-7252-1
568-9881-1
568-9881-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7610-55AL,118
仓库库存编号:
1727-7164-1-ND
别名:1727-7164-1
568-9648-1
568-9648-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 269W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN7R0-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7214-1-ND
别名:1727-7214-1
568-9705-1
568-9705-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN2R2-40BS,118
仓库库存编号:
1727-7118-1-ND
别名:1727-7118-1
568-9488-1
568-9488-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7C06-40AITE,118
仓库库存编号:
1727-7175-1-ND
别名:1727-7175-1
568-9660-1
568-9660-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R3-40YS,115
仓库库存编号:
1727-4633-1-ND
别名:1727-4633-1
568-5590-1
568-5590-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN5R5-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4284-1-ND
别名:1727-4284-1
568-4973-1
568-4973-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tj) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN013-100YSEX
仓库库存编号:
1727-1129-1-ND
别名:1727-1129-1
568-10284-1
568-10284-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.5A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN102-200Y,115
仓库库存编号:
1727-5227-1-ND
别名:1727-5227-1
568-6544-1
568-6544-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 142W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2R608NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH2R608NHL1QCT-ND
别名:TPH2R608NHL1QCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R7-40E,118
仓库库存编号:
1727-1088-1-ND
别名:1727-1088-1
568-10241-1
568-10241-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tj) 405W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN4R8-100BSEJ
仓库库存编号:
1727-1103-1-ND
别名:1727-1103-1
568-10258-1
568-10258-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta) 78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2900ENH,L1Q
仓库库存编号:
TPH2900ENHL1QCT-ND
别名:TPH2900ENHL1QCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 145A(Tc) 4.8W(Ta), 125W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL140N6F7
仓库库存编号:
497-15911-1-ND
别名:497-15911-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60E,S4X
仓库库存编号:
TK10A60ES4X-ND
别名:TK10A60E,S4X(S
TK10A60E,S5X
TK10A60E,S5X(M
TK10A60ES4X
TK10A60ES4X(S
TK10A60ES4X(S-ND
TK10A60ES5X
TK10A60ES5X-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 32A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX32P60P
仓库库存编号:
IXTX32P60P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 20W(Tc) CPT3
型号:
R6004ENDTL
仓库库存编号:
R6004ENDTLCT-ND
别名:R6004ENDTLCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP613PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP613PH6327XTSA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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